薄膜の内部応力センサー及び内部応力測定装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：澁谷孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-045237
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】薄膜作成装置から試料を取り出すことなく薄膜の内部応力を測定するこができる薄膜の内部応力センサー及びその測定装置を提供する。【構成】凹部2を備えるシリコンウェハー1、凸部4を備えるシリコンウェハー3を当接部9で接着する。凹部2の底面及び凸部4の上面に平行平板電極を構成する金電極5、6を形成し、金電極5、6からリード線7、8を引き出す。薄膜作成装置内でシリコンウェハー1の上面に薄膜10が形成されると、薄膜の内部応力でシリコンウェハー1がわん状にたわみ、間隔dが変化して平行平板電極の電気容量が変化する。この電気容量の変化量を検出することにより、薄膜作成装置から取り出すことなく薄膜の内部応力を測定する。

請求項（抜粋）：