高選択比かつ大面積高均一プラズマ処理方法及び装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086352
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282547
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】パルス変調プラズマを用いた高選択・大面積高精度プラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加するように構成される。また、本発明のプラズマ処理装置は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ生成部及び基板電極に相互に印加する変調手段をプラズマ発生電源及び基板バイアス電源に設けられる。

請求項（抜粋）：

真空容器内のプラズマ生成部に、高周波アンテナ回路及び高周波アンテナ回路に接続したプラズマ発生用電源を用いてプラズマを発生させ、真空容器内において基板バイアス電源から変調された基板バイアスを印加される基板電極上の基板をプラズマ処理する方法において、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加することを特徴とする高選択比かつ大面積高均一プラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 L , H01L 21/302 101 C

Fターム (6件)：

5F004AA02 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BD04 , 5F004CA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-244688 出願人：アネルバ株式会社
プラズマエッチング方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248583 出願人：国際電気株式会社, 堀池靖浩
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-177071 出願人：松下電子工業株式会社

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