特許

J-GLOBAL ID：200903071122338991

半導体レーザ装置

発明者： 平本 清久 ,  佐川みすず ,  土屋 朋信 ,  豊中 隆司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189241
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056045
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 GaAs基板上に形成され、少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層を有する半導体レーザの素子特性を改善し、信頼性を向上すること。【構成】 GaAs基板と、該GaAs基板上に形成された少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層14と、InGaAsP又はAlGaInP又はAlGaInAs又はGaAs障壁層12,16と、上記InGaAs量子井戸層と上記障壁層の間に形成された上記2層の中間の格子定数を有するInGaAsP又はAlGaInP又はAlGaInAs層13,15から構成される。【効果】 本発明により活性層に注入したキャリアの量子井戸層から障壁層への漏れが低減し、活性層からのInの拡散が防止され、また活性層におけるヘテロ界面での歪量の差が低減することにより、素子特性及び信頼性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に形成され、少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層と、該量子井戸層よりも屈折率が小さく且つ禁制帯幅の大きいクラッド層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造から構成される半導体レーザ装置において、上記InGaAs量子井戸層の両側又は片側一方に隣接して少なくとも1層のIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>層(但し0≦y<1)が形成され、該In<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>層の格子定数がGaAsよりも大きく、上記InGaAsよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。