特許

J-GLOBAL ID：200903071124779065

TiN膜の形成方法

発明者： 原田 裕介
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288903
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140360
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 W埋め込みコンタクトにおいて、TiN膜からなるWの密着層を、カバレージの良いECRプラズマCVD法で形成し、低抵抗なコンタクトが形成できるTiN膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 ECRプラズマCVD法でTiN膜を形成する際に、反応チャンバー内に先づTiを含むガスを流し、次にNを含むガスを流すようにしたものである。

請求項（抜粋）：

導電性のTiN膜を形成する方法であって、ECR(Electron Cyclotoron Resonance)によるプラズマを発生させたチャンバー内に、先にTiを含むガスを導入し、続いてNを含むガスを導入することを特徴とするTiN膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205