特許
J-GLOBAL ID：200903071125847757
光半導体チップキャリア
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079317
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275957
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【目的】 実装の簡易な高周波特性を改善した光半導体チップキャリアを得る。【解決手段】 光半導体チップキャリア60を導電性のベース基板25と誘電体基板41で構成する。誘電体基板41上には、信号ライン251、接地ライン252、終端抵抗253、メッキ処理されたスルーホール256等が形成される。半導体レーザ151と光変調器152からなる集積化光源チップ15がベース基板上に基板41と隣接して半田付けされ、バイアス用のチップコンデンサ3もベース基板上に半田付けされる。半導体レーザとチップコンデンサ間、光変調器と信号ライン間等はボンディングワイヤ751〜753により接続される。【効果】 チップキャリアに起因するインダクタンスや寄生容量の低減、ボンディングワイヤ接続箇所の低減により、高周波化と実装工数低減が図れる。
請求項（抜粋）：
高熱伝導性を有する導電性のベース基板と、該ベース基板上の一部に固着された誘電体基板とからなり、前記誘電体基板上には入力信号ラインとなる高周波伝送線路と該ベース基板に電気的に接続可能な導電性材料を含むスルーホール部を有する接地ラインと前記高周波伝送線路の入力信号と高周波整合をとるための抵抗とが少なくとも形成されていて、前記ベース基板上の誘電体基板と隣接する位置に光半導体チップを固着して前記高周波伝送線路と光半導体チップ間をボンディングワイヤにより接続できるように構成したことを特徴とする光半導体チップキャリア。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G02B 6/42
, G02F 1/025
, H01L 27/14
H01S 3/18
, G02B 6/42
, G02F 1/025
, H01L 27/14 D
