特許

J-GLOBAL ID：200903071126670761

ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 辻 裕光 ,  岩下 淳 ,  遠藤 浩太朗 ,  高須 亮一
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355685
公開番号（公開出願番号）：特開2006-163066
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】200nmより短波長の光による露光に好適で高解像度のレジストパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分と、(B)芳香環又は脂肪族環に直接結合した炭素原子上に2級又は3級アルコール構造を有する多価アルコール化合物、および(C)露光により酸を発生する酸発生剤成分を少なくとも含有してなるネガ型レジスト組成物であり、樹脂成分(A)が200nmより短波長の光に対して高度な透明性を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)フッ素原子を有するアルカリ可溶性樹脂成分と、(B)芳香環又は脂肪族環に直接結合した炭素原子上に2級又は3級アルコール構造を有する多価アルコール化合物、および(C)露光により酸を発生する酸発生剤成分を少なくとも含有してなるネガ型レジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/038 ,  C08F 20/24 ,  C08F 32/04 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/038 601 ,  C08F20/24 ,  C08F32/04 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R

Fターム (21件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AC26Q ,  4J100AL08P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA08P ,  4J100BB18P ,  4J100BC08P ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 国際公開第00/67072号パンフレット
  
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190647   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社