特許

J-GLOBAL ID：200903071127761159

半導体装置

発明者： 大中道 崇浩 ,  大森 達夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204397
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023101
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 高周波特性を劣化させることなく静電気放電現象(ESD)による内部回路素子の破壊を防止することのできる高周波半導体装置を提供する。【解決手段】 信号伝達線(2)と接地ノード(14)の間に、この半導体装置の動作周波数の実効波長の1/4倍の長さを有する1/4波長伝送線路(10)を設け、さらに、その伝送線路と内部回路(3)の間にサージ吸収素子を接続する。信号伝達線(2)は、容量素子(16)を介して内部回路(3)に結合する。また電源線(41)と接地線(43)の間に、これらの電源線と接地線の間の電圧差が、所定電圧レベルにクランプするクランプ回路(45)を設ける。

請求項（抜粋）：

内部回路、前記内部回路とパッドとの間に結合され、前記パッドと前記内部回路との間で高周波信号を伝送する信号伝達線、前記信号伝達線の第1のノードと第1の電源ノードとの間に接続され、少なくとも前記高周波信号よりも高周波の信号線分を伝達するバイパス伝送線路、および前記信号伝達線の第2のノードと前記第1の電源ノードとの間に接続され、前記第1のノードの電圧が所定の電圧レベルを超えると前記第2のノードと前記第1の電源ノードとの間で電流を流す第1のサージ導通素子を備え、前記第2のノードは、前記第1のノードと前記内部回路の間に配置される、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/06 311 Z ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H

Fターム (14件)：

5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048CC01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC08 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC19