特許
J-GLOBAL ID：200903071132738742
静電容量式圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068928
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253372
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 測定電圧による静電引力に影響され難いセンサ素子構造とし、薄膜電極を採用することで、小型で低コスト,高精度で実現可能とする。【構成】 枠状に形成されたダイアフラム支持部1と、ダイアフラム支持部1の開口端に外部とは隔離されたキャビティCを介して対向配置された第1のダイアフラム部2および第2のダイアフラム部3と、この第1のダイアフラム部2と第2のダイアフラム部3との対向面に連結された複数の柱4と、第2のダイアフラム部3の底面に形成された可動電極8と、キャビティC内に可動電極8と対向し、かつ複数の柱4とは接触せずにほぼ平行に支持固定された固定電極7と、第1のダイアフラム部2の第2のダイアフラム部3と対向する反対面に固定電極7に対向して形成された第2の可動電極9とから構成する。
請求項（抜粋）：
ほぼ枠状に形成されたダイアフラム支持部を少なくとも一方に有し、かつ外部とは隔離された空洞部を介して対向配置された絶縁体からなる第1のダイアフラム部および第2のダイアフラム部と、前記第1のダイアフラム部と第2のダイアフラム部との対向面に連結され、かつ前記空洞部を介して前記第1のダイアフラム部と第2のダイアフラム部とを支持固定する複数の柱と、前記第2のダイアフラム部の第1のダイアフラム部と対向する面に形成された計測用の第1の可動電極と、前記空洞部内に前記第1の可動電極と対向し、かつ前記複数の柱とは接触せずにほぼ平行に支持固定された固定電極と、前記第1のダイアフラム部の第2のダイアフラム部と対向する面の反対面に前記固定電極に対向して形成された第2の可動電極と、を備え、前記固定電極と第2の可動電極との間に第1のコンデンサ構造を形成し、前記固定電極と前記第1の可動電極との間に第2のコンデンサ構造を形成したことを特徴とする静電容量式圧力センサ。
IPC (2件)：
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