特許
J-GLOBAL ID：200903071134039205
化合物半導体単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063295
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260289
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 複数の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる際、途中で基板を大気中に取り出す必要がある場合でも、その後成長させた層の結晶性を向上させることができる化合物半導体単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 大気中に取り出す前に、エピタキシャル成長させた化合物半導体層3上に、As非晶質膜20を形成し、これを他の装置移して、非晶質膜20を除去した後、さらに化合物半導体をエピタキシャル成長させる単結晶の成長方法。化合物半導体層3の表面は非晶質膜によって覆われているため基板を大気中に取り出しても、汚染されたり自然酸化膜が形成されることがなく、高い清浄度が保たれるので、その後に成長させる化合物半導体層は結晶性のよいものとなる。
請求項（抜粋）：
第1の結晶成長装置内で半導体基板上に少なくとも1層以上の窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶を成長させる工程と、該窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶成長後、該窒化ガリウム系化合物半導体の表面が大気中に晒されることなく前記第1の結晶成長装置内で、該窒化ガリウム系化合物半導体上に、V族元素およびIII -V族化合物よりなる群から選択された少なくとも1つの物質による非晶質膜を成膜する工程と、前記第1の結晶成長装置または前記第1の結晶成長装置と異なる第2の結晶成長装置内で、前記非晶質膜を除去する工程と、前記非晶質膜の除去後、露出した前記窒化ガリウム系化合物半導体上に、少なくとも1層以上の窒化ガリウム系化合物半導体をさらに成長させる工程と、を有することを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 29/20
, H01L 33/00
H01L 21/203 M
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 29/20
