特許

J-GLOBAL ID：200903071150155690

横型SOI装置

発明者： ハワード ビー ピーン
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272454
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183522
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 既知の処理技術を用いて容易に実現可能な装置構体で、高降伏電圧、低“オン”抵抗その他所望の動作特性を有する横型SOI装置を提供せんとするものである。【構成】 横型SOI装置は、基板20と、この基板上に設けられた埋設絶縁層22と、この絶縁層上に設けられたLDMOSトランジスタのような横型半導体装置12;14とを具え、この半導体装置は第1導電型のソース領域26と、第1導電型とは反対の第2導電型のチャネル領域28と、このチャネル領域上に設けられた絶縁ゲート電極36と、前記埋設絶縁層上に設けられた第1導電型の横型ドリフト領域42;42aと、前記チャネル領域から横方向に分離されるとともに前記ドリフト領域によってチャネル領域に接続された第1導電型のドレイン領域30とを具える。かかる横型SOI装置において、前記半導体装置の一部分を第1半導体材料に形成し、且つ前記横型ドリフト領域は広いバンドギャップの第2半導体材料を具えるようにする。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に設けられた埋設絶縁層と、この絶縁層上に設けられた横型半導体装置とを具え、この半導体装置は第1導電型のソース領域と、第1導電型とは反対の第2導電型のチャネル領域と、このチャネル領域上に設けられた絶縁ゲート電極と、前記埋設絶縁層上に設けられた第1導電型の横型ドリフト領域と、前記チャネル領域から横方向に分離されるとともに前記ドリフト領域によってチャネル領域に接続された第1導電型のドレイン領域とを具える横型SOI装置において、前記半導体装置の一部分を第1半導体材料に形成し、且つ前記横型ドリフト領域は広いバンドギャップの第2半導体材料を具えることを特徴とする横型SOI装置。