特許

J-GLOBAL ID：200903071154785990

GaP系発光素子基板の製造方法

発明者： 大滝 紀夫 ,  中村 秋夫 ,  柳澤 宗久 ,  田村 雄輝 ,  樋口 晋
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242659
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069542
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 高輝度の発光素子を製造することができるGaP系発光素子基板の製造方法を提供する。【構成】 GaP基板上にGaPエピタキシャル成長用Ga溶液を配置し、窒素ドープを行いながらn型GaP層を0.6(μm/分)以上の成長速度で成長させる。前記成長速度を得る条件としては、例えばGaPエピタキシャル成長用Ga溶液の厚さを1.7mm以上とし、エピタキシャル成長用Ga溶液を含む系を2.5(°C/分)以上の降温速度で降温させながら成長させる。

請求項（抜粋）：

n型GaP基板の一主面に接するようにGaPエピタキシャル成長用Ga溶液を配置し、液相エピタキシャル成長法によりn型GaP層を前記n型GaP基板の前記一主面上に成長させる工程を含む、GaP系発光素子基板の製造方法において、窒素ドープを行いながら前記n型GaP層を0.6(μm/分)以上の成長速度で成長させることを特徴とするGaP系発光素子基板の製造方法。