特許
J-GLOBAL ID：200903071168046219
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315202
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164069
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 多重量子井戸構造の活性層を有するInGaAsP/InP系半導体レーザに関し、正孔の不均一注入が引き起こす量子井戸活性層の総合利得Gの低下を補償できるInGaAsP/InP系多重量子井戸型レーザを提供することを目的とする。【構成】 少なくとも2層以上のInGaAsP系量子井戸層を有する多重量子井戸構造の活性層と活性層を挟むp型層とn型層を有する半導体レーザであって、正孔の不均一注入による利得のピーク波長の変化を補償するように、p型層側の量子井戸層の組成または層厚の少なくとも一方が、よりn型層側の少なくとも1つの量子井戸層の実効的バンドギャップよりも狭い実効的バンドギャップを有するように選択されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層以上のInGaAsP系量子井戸層(8、18)を有する多重量子井戸構造(4、14)の活性層と、活性層を挟むp型層(5、15)とn型層(3、13)を有する半導体レーザであって、正孔の不均一注入による利得のピーク波長の変化を補償するように、p型層側の量子井戸層(8e、18c)の組成または層厚の少なくとも一方が、n型層側の少なくとも1つの量子井戸層(8a、18a)の実効的バンドギャップよりも狭い実効的バンドギャップを有するように選択されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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