特許

J-GLOBAL ID：200903071171606705

半導体装置

発明者： 荒川 泰彦 ,  中岡 俊裕 ,  斎藤 敏夫 ,  硴塚 孝明
出願人/特許権者： 東京大学長 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335227
公開番号（公開出願番号）：特開2005-099586
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】半導体内の電子準位、電子状態を可変に制御することにより動作波長が可変な光制御用の半導体装置を実現することにある。【解決手段】量子ドット、量子細線乃至量子井戸を含む単層又は複数層からなる光又は電子制御を行う制御層(30)を有する半導体装置において、台となる層(10)上に橋桁状の層(20)が形成され、該橋桁状の層(20)上に前記制御層(30)の両端が橋桁状に固定され、前記制御層(30)を外力により変形させる手段(40)を備えていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

量子ドット、量子細線乃至量子井戸を含む単層又は複数層からなる光又は電子制御を行う光制御層を有する半導体装置において、前記光制御層を外力により変形させる手段を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G02F1/017 ,  G02B26/00

FI (2件)：

G02F1/017 506 ,  G02B26/00

Fターム (14件)：

2H041AA21 ,  2H041AB34 ,  2H041AB38 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ02 ,  2H041AZ08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA07 ,  2H079AA13 ,  2H079BA04 ,  2H079CA05 ,  2H079CA07 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平4-306894
  
• 反射型ファイバグレーティングフィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237829   出願人：日本電信電話株式会社
• 光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238045   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体量子井戸光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-328155   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平1-094312
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-306894
  
• 反射型ファイバグレーティングフィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237829   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• "フォトニック結晶の新しい展開:量子ドット・MEMSとの融合"