特許
J-GLOBAL ID:200903071182108200
半導電水密組成物
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-174617
公開番号(公開出願番号):特開2004-018652
出願日: 2002年06月14日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】撚り合わせ導体に対して、押出被覆法などにより導体素線間に水密性組成物を充填でき、この充填と同時に半導電層あるいは内部半導電層を形成できるような半導電水密組成物を得ることにある。また、この半導電水密組成物が導体素線間に充填され、かつ導体上に被覆された絶縁電線を得ることにある。【解決手段】撚り合わせ導体1の上に半導電水密組成物を押出被覆し、導体1素線間の空隙に充填して水密層2を形成すると同時に導体1外周面にも被覆し半導電層3を形成する。半導電水密組成物に、架橋性ポリエチレンを含むベースポリマー100重量部と、吸水性ポリマー1〜20重量部と、カーボンブラックとしてのアセチレンブラックまたはファーネスブラック40〜80重量部もしくはカーボンブラックとしてのケッチェンブラック5〜50重量部を必須成分として含む樹脂組成物を用いる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
架橋性ポリエチレンを含むベースポリマー100重量部と、吸水性ポリマー1〜20重量部と、アセチレンブラックまたはファーネスブラック40〜80重量部を含む半導電水密組成物。
IPC (6件):
C08L23/06
, C08K3/04
, C08L101/12
, H01B1/24
, H01B7/282
, H01B13/32
FI (6件):
C08L23/06
, C08K3/04
, C08L101/12
, H01B1/24 E
, H01B13/32
, H01B7/28 E
Fターム (24件):
4J002AB032
, 4J002AB042
, 4J002BB031
, 4J002BB172
, 4J002BG012
, 4J002BG102
, 4J002BG132
, 4J002BN012
, 4J002CH022
, 4J002DA036
, 4J002FA042
, 4J002GQ01
, 5G301DA18
, 5G301DA42
, 5G301DA44
, 5G301DD04
, 5G313FA01
, 5G313FB01
, 5G313FB03
, 5G313FC05
, 5G313FC08
, 5G313FD03
, 5G313FD13
, 5G327EA01
引用特許: