特許

J-GLOBAL ID：200903071185246990

GaN系結晶成長用基板およびその製造方法

発明者： 古田 正寛 ,  濱村 寛
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084078
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261499
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 意図した組成比であってかつ不純物の混入が抑制されたマスク層を有するGaN系結晶成長用基板の製造方法を提供し、また該製造方法によって選択成長法のためのGaN系結晶成長用基板を提供すること。【解決手段】 GaN系結晶が成長可能な結晶基板1の該基板面に、GaN系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料(特に、シリコン窒化物)からなるマスク層2を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてGaN系結晶成長用基板を得る。好ましくは、マスク層の厚さの増加と共に窒素の組成比が減少するように、反応性スパッタリングのガス原料供給を制御する。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能な結晶基板の該基板面に、GaN系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料からなるマスク層を、反応性スパッタリングによって成膜する工程を有することを特徴とする、選択成長法用のGaN系結晶成長用基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/318 B

Fターム (16件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE14 ,  4G077BE15 ,  4G077DA11 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  5F058BA10 ,  5F058BC08 ,  5F058BF13 ,  5F058BF15 ,  5F058BJ10 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103NN06 ,  5F103RR10