特許
J-GLOBAL ID：200903071188451217
イオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
成田 擴其
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254164
公開番号（公開出願番号）：特開平8-096742
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 ターゲットを回転させずに注入量の均一化を図ること。【構成】 イオン源1からビーム引出し電極系6によって断面が大面積のイオンビームを引出す。ビームは質量分離せずに、非回転状態にあるターゲット14に注入される。引出し電極系は、プラズマグリッド(電極)7、引出し電極8、抑制電極9、接地電極10を有し、スキャン電極18を例えば引出し電極のビーム下流側に設ける。電極7〜10は複数のスリットが平行に形成されているマルチスリット電極であり、スキャン電極は所要数の電極棒を間隔をおいて平行に設けて構成し、電極棒間に三角波のスキャン電圧を与える。マルチスリット電極における各スリットからのビームをスキャン電極のスキャン交番電場により、隣接するスリット方向にスキャンし、ターゲット全面にイオンを均一注入する。
請求項（抜粋）：
イオン源のビーム引出し電極系から引出された断面が大面積のイオンビームを質量分離せずにターゲットに注入するイオン注入装置において、前記ビーム引出し電極系が、マルチスリット電極によって形成されていると共に、前記マルチスリット電極の隣接するスリット方向にビームをスキャンするスキャン電極を備えてなることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (5件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/08
, H01J 37/147
, H01L 21/265
