特許
J-GLOBAL ID：200903071197377097
プラズマ処理装置用電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197526
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045911
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 ウエハ等の半導体基板を支持する電極の絶縁性及び密着性を高め、プラズマ処理により加熱される半導体基板を効率よく冷却する。【構成】 プラズマを用いるドライエッチング装置等において、ウエハを支持する下部電極2が、アルミニウム材で形成された電極基体21と、電極基体21上に形成された硬質陽極酸化膜23と、陽極酸化膜23上に形成された酸化硅素膜24等の絶縁膜とからなる。陽極酸化膜23を形成すると表面には孔やクラックが形成されるが、これらは酸化硅素膜24により埋められる。電極基体21が熱伝導率の優れたアルミニウム材である上に電極2の電気絶縁性及びウエハの密着性が向上するので、プラズマ処理中に電極2に直流電圧を印加してウエハ裏面を電極2上に静電気を用いて密着させた後、電極2を冷却器により例えば室温よりも低い温度に冷却すれば、ウエハ全体の冷却効率が一層向上する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム材で形成された電極基体と、前記電極基体上に形成され且つ表面が凹部形状を有する陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜上に形成され且つ前記凹部を埋める絶縁膜と、からなることを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/285
, H01L 21/31
