特許
J-GLOBAL ID：200903071202740162
CVDによるエピタキシャル成長中にサセプターを保護する方法と装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-523457
公開番号（公開出願番号）：特表平10-513146
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】SiC、第III族元素の窒化物又はそれらの合金が化学蒸着により、サセプター(1)の表面に配置された基板(6)の上でエピタキシャル成長せしめられるときに、該サセプターの寿命を延ばすようにそのサセプターを保護する方法。該基板とその基板に供給される該エピタキシャル成長用のガス混合物とは、そのサセプターを加熱することにより加熱される。本発明は、SiC、SiCと成長される材料との合金又はその成長される材料からできているプレート(5)をサセプター(1)の上に配置し、そして基板(6)を該プレート(5)の上に配置することを特徴とするものである。この用法によれば、サセプターからの不純物の悪影響なしに結晶層を該基板上で成長させることができる。
請求項（抜粋）：
SiC、第III族元素の窒化物又はそれらの合金が化学蒸着によりサセプター(1)の表面に配置された基板(6)の上でエピタキシャル成長せしめられるときに該サセプター(1)を保護する方法にして、該基板とその基板に供給される該エピタキシャル成長用のガス混合物とが該サセプターを加熱することにより加熱される方法において、SiC、SiCと成長される材料との合金又はその成長される材料からできているプレート(5)が該サセプターに置かれ、そして該基板はそのプレートの上に配置されていることを特徴とする、上記の方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 25/12
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, C30B 25/12
, H01L 21/205
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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