位相シフトマスク用ブランクおよび位相シフトマスクの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266328
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107731
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】隣接する開口部パターンを透過する投影光の位相を180°に効果的にずらし、且つ、半導体集積回路チップの製造工程で投影露光装置に装填して使用される際の投影光のマスクパターンのコントラストが非常に良好な位相シフトマスクを容易に得る製造方法と位相シフトマスク用ブランクとを提供する。【構成】隣接する開口部分に入射する少なくとも部分的にコヒーレントな光に位相差を与え、半導体集積回路チップ製造のフォトリソグラフィー法に使用する位相シフトマスクの製造方法において、位相差を与えるための位相シフター層パターン4'をエッチングによって形成する際のエッチングストッパー層2として、スピネル型構造を持つ化合物薄膜を用い、特にそれがMgAl2 O4 よりなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

隣接する開口部分に入射する少なくとも部分的にコヒーレントな光に位相差を与え、フォトリソグラフィー法に使用する位相シフトマスクの製造方法において、位相差を与えるための位相シフター層パターンをエッチングによって形成する際のエッチングストッパー層として、スピネル型構造を持つ化合物薄膜を使用することを特徴とする位相シフトマスク用ブランク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W

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