特許

J-GLOBAL ID：200903071206698705

電界効果トランジスタ

発明者： 笹田 一弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057710
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252117
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 pチャネル電界効果トランジスタにイオン注入する場合、BF2によるpチャネルへの貫通現象によって閾値電圧が変化することや、Bによりゲートやゲート絶縁膜中に界面準位が発生してリーク電流が増大することを抑制する。【解決手段】 ゲート11に斜め方向からFを加速電圧10〜100keV、注入量1×1011〜1×1016cm-2でイオン注入して、ゲート絶縁膜2下に2×1012〜2×1016cm-3のBを含む低濃度層8及び2×1012〜2×1016cm-3のFを含む終端層13を形成すると共に、ゲート11の下端部に高抵抗層12を形成して、実効電圧の低減と距離拡大によりゲート端部での絶縁破壊を防止すると共にFの強い結合エネルギーによりリーク電流の原因になる界面準位を解消する。

請求項（抜粋）：

ゲートの下端部の添加物の濃度が高いことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/265 V