半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093461
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284584
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】ゲートトレンチのコーナー部やベース領域の先端部分電界集中を緩和し耐圧を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベース領域5の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域9を形成する。この不純物拡散領域9を形成することによりベース領域側に空乏層を伸ばして耐圧を向上させることができる。ベース領域の一部に導電膜10が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、この半導体基板に接し、第1の面とこの第1の面と対向する第2の面とを有する第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に形成され、前記第2の面に部分的に露出する第1導電型ドレイン領域と、前記ドレイン領域に形成され、部分的に前記第2の面に露出する第2導電型ベース領域と、前記ベース領域に形成され、前記第2の面に露出する第1導電型ソース領域と、導電層又は絶縁層もしくは導電層及び絶縁層が埋め込まれ、前記ベース領域が露出する前記第2の面から前記ドレイン領域の内部に達するトレンチと、前記トレンチの前記ドレイン領域内部に形成された部分の側壁周辺に形成され、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第2導電型不純物拡散領域と、前記第2の面上に形成され、且つ前記ベース領域を介して前記ドレイン領域及び前記ソース領域の一部を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 655

FI (5件)：

H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 655 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-014048 出願人：日本電気株式会社
電界効果型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-064545 出願人：トヨタ自動車株式会社
MOSトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-171373 出願人：株式会社デンソー

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