半導体基板とその製法,半導体装置の製法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120198
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318110
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、結晶格子が十分リラックスされたSi1-xGex層を有し、その上に結晶欠陥が非常に少なく、且つ表面が原子レベルで平滑な歪Si層が形成された半導体基板の構造及びその製造方法に関する。【解決手段】シリコン(Si)の単結晶基板ウエハ表面に膜厚方向のゲルマニュウム(Ge)組成比分布を表面側組成比が小さく2段以上の略階段状、あるいは表面側組成比が小さく2箇所以上の変曲点を有する傾斜形状とした格子間隔のリラックスしたシリコンゲルマニュウム(Si1-xGex)単結晶薄膜と、上記単結晶薄膜の格子間隔により引っ張り歪みを印加されたSi単結晶薄層が形成された半導体基板。【効果】従来基板に比べ結晶欠陥が少なく、且つ原子レベルで平滑表面の歪印加Si層を有し、半導体装置の製造歩留まりが向上する半導体基板を得る。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)の単結晶基板の表面に格子間隔がリラックスしたシリコンゲルマニュウム(Si1-xGex:ここでxはゲルマニュウム組成比)混晶のSi1-xGex単結晶薄膜が形成され、上記混晶の格子間隔により引っ張り歪みを印加した歪Si単結晶薄層が形成された半導体基板であって、上記Si1-xGex単結晶薄膜における膜厚方向のゲルマニュウム(Ge)組成比は、上記歪Si単結晶基板側の組成比が小さく、上記Si1-xGex単結晶薄膜の膜厚内に異なるGe組成比を少なくとも2つ以上有し、上記Ge組成比は、上記膜厚方向の所定の距離で傾きの小さい変化を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 301 B

Fターム (27件)：

5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB01 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG52 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CF04

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