特許

J-GLOBAL ID：200903071214814293

半導体超微粒子及びその製造方法

発明者： 大津 猛
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238776
公開番号（公開出願番号）：特開2004-075464
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】従来にない高い発光強度、粒径分布の単分散性、良好な溶剤溶解性及び優れた塗膜性を兼ね備えた付活剤により付活した亜鉛と16族の元素からなる半導体超微粒子を提供する。【解決手段】ホスフィンオキシド類及びアルキルアミン類を配位子として含有し、付活剤により付活された、亜鉛と16族元素とからなる半導体超微粒子、及びこれを含有する薄膜状成形体、ならびに、アルキルアミン類中で、付活剤により付活された、亜鉛と16族元素とからなる半導体微結晶を合成する第一工程と、第一工程によって得られる半導体微結晶にホスフィンオキシド類を接触させる第二工程とを含む半導体超微粒子の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ホスフィンオキシド類及びアルキルアミン類を配位子として含有し、付活剤により付活された、亜鉛と16族元素とからなる半導体超微粒子。

IPC (3件)：

C01G9/08 ,  C01B19/04 ,  C01G9/02

FI (4件)：

C01G9/08 ,  C01B19/04 H ,  C01B19/04 C ,  C01G9/02 A

Fターム (4件)：

4G047AA02 ,  4G047AB04 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04