特許

J-GLOBAL ID：200903071235618184

化学機械研磨後の半導体表面のための清浄化溶液

発明者： ワン,シュミン
出願人/特許権者： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-527334
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510840
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】半導体ウェハーに化学機械研磨を行った後で、半導体ウェハーの表面から汚染物質を清浄化する組成物及び方法を提供する。この清浄化組成物は、カルボン酸、アミン含有化合物、ホスホン酸及び水を含有している。この清浄化組成物は、化学機械研磨の後で、半導体ウェハーの表面から研磨材及び金属汚染物質を除去するのに有益である。

請求項（抜粋）：

カルボン酸、アミン含有化合物、ホスホン酸及び水を含有する、化学機械研磨の後で半導体ウェハーから研磨粒子及び金属イオンを清浄化する組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 647

FI (2件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 647 A