ポジ型フォトレジスト組成物

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-107936
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が少ない、または加えて、密着性、露光マージン(特に孤立ラインの露光マージン)、経時感度変動等にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】ノルボルネン構造を有する繰り返し単位等の特定の繰り返し単位等を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定の化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で示される繰り返し構造単位および下記一般式(II)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】一般式(I)中、R11〜R14は、各々独立に水素原子又はアルキル基を表す。aは0または1である。一般式(II)中、R0は、水素原子又は低級アルキル基を表す。Aは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。R1及びR2は低級アルキル基を表す。R3は低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。kは0〜3の整数である。

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F232/04 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F232/04 , H01L 21/30 502 R

Fターム (74件)：

2H025AA01 , 2H025AA04 , 2H025AA11 , 2H025AA14 , 2H025AC03 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 4J100AB07T , 4J100AE02T , 4J100AE09T , 4J100AG02T , 4J100AG06T , 4J100AG08T , 4J100AG10T , 4J100AG12T , 4J100AJ01T , 4J100AK32R , 4J100AL03T , 4J100AL08Q , 4J100AL08S , 4J100AL08T , 4J100AL09T , 4J100AL44T , 4J100AM02T , 4J100AM17T , 4J100AM19T , 4J100AM21T , 4J100AM43R , 4J100AM45R , 4J100AM47R , 4J100AR11P , 4J100AR21P , 4J100BA02P , 4J100BA02T , 4J100BA03P , 4J100BA03R , 4J100BA03T , 4J100BA04T , 4J100BA05Q , 4J100BA05S , 4J100BA05T , 4J100BA06P , 4J100BA06T , 4J100BA11R , 4J100BA11S , 4J100BA14T , 4J100BA15S , 4J100BA16T , 4J100BA31T , 4J100BA34T , 4J100BA55R , 4J100BB01Q , 4J100BB01T , 4J100BB18R , 4J100BC04T , 4J100BC08R , 4J100BC09Q , 4J100BC43T , 4J100BC52S , 4J100BC53T , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

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