特許
J-GLOBAL ID:200903071236151310

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-082148
公開番号(公開出願番号):特開2009-021212
出願日: 2008年03月26日
公開日(公表日): 2009年01月29日
要約:
【課題】光電変換効率の高い光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体を付着した電極と、この電極に対向配置された対電極との間に電荷輸送層を備えた光電変換素子に関する。半導体の表面に電子透過性の絶縁体層を備えると共に、この絶縁体層と接してラジカル化合物が設けられている。電荷分離界面において発生電子の整流性を付与することができ、電荷分離後の電荷の再結合を抑制することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体を付着した電極と、この電極に対向配置された対電極との間に電荷輸送層を備えた光電変換素子において、半導体の対電極側の表面に電子透過性の絶縁体層を備えると共に、この絶縁体層と接してラジカル化合物が設けられていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (21件):
5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051DA02 ,  5F051DA09 ,  5F051DA20 ,  5F051FA01 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00 ,  5H032HH01
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特許第2664194号公報
  • 光電気化学デバイス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-293959   出願人:日本電気株式会社
  • 特許第2664194号

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