不揮発性半導体メモリにおける高電圧発生方法と高電圧レベルの最適化回路及び最適化方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331266
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180481
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】消去やプログラムにおける高電圧の開始レベルを最適化することを可能とし、消去やプログラム時間を最適化する。【解決手段】同じメモリセルに対する消去又はプログラムが反復される度にその消去電圧又はプログラム電圧を所定の開始レベルから順次に上げていくためのレベル制御信号を出力するループ回数計数回路202,203と、レベル制御信号に応答し順次に電圧レベルを上げて消去電圧又はプログラム電圧を発生する高電圧発生回路22(30〜70)と、アドレス入力によるトリミング信号を発生してループ回数計数回路のレベル制御信号の初期値を変更し且つヒューズ切断によりそのトリミング信号の状態を固定することが可能とされて高電圧発生回路22による消去電圧又はプログラム電圧の開始レベルをセッティングするセッティング回路201と、からなる高電圧レベル最適化回路を備える。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート形の多数のメモリセルと、複数の選択メモリセルをプログラムするためのプログラム回路と、該プログラム対象のメモリセルのプログラム成否を判断するためのプログラム検証回路と、を有する不揮発性半導体メモリにおいて、プログラムが反復される度にプログラム電圧を所定の開始レベルから順次に上げていくためのレベル制御信号を出力するループ回数計数回路と、このレベル制御信号に応答し順次に電圧レベルを上げてプログラム電圧を発生する高電圧発生回路と、アドレス入力によるトリミング信号を発生して前記ループ回数計数回路のレベル制御信号の初期値を変更し且つヒューズ切断によりそのトリミング信号の状態を固定することが可能とされて前記高電圧発生回路によるプログラム電圧の開始レベルをセッティングするセッティング回路と、からなる高電圧レベル最適化回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-159895
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-147918 出願人：株式会社東芝
電圧降下回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-064931 出願人：三菱電機株式会社

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