ホトマスクおよび半導体集積回路の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-148577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-324795
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】波長が200nmより長い露光光を用いる場合でも、コストが安く、製造工程数が少なく、作製期間も短いホトマスクを提供する。【解決手段】ホトマスクにおける遮光物として、レジスト膜の露光光に対する屈折率をn、露光光の波長をλとしたとき、膜厚が1.25λ/(n-1)より厚く1.75λ/(n-1)未満である、あるいは2.25λ/(n-1)より厚く2.75λ/(n-1)未満であるレジストを用いる。

請求項（抜粋）：

透明基板と所望のパターンが形成された感光性有機物(以下レジスト)膜からなる露光用のホトマスクにおいて、上記レジスト膜の露光光に対する屈折率をn、露光光の波長をλとしたとき、上記レジスト膜の膜厚dが1.25λ/(n-1)より厚く1.75λ/(n-1)未満、あるいは2.25λ/(n-1)より厚く2.75λ/(n-1)未満であることを特徴とするホトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 G , H01L 21/30 502 P

Fターム (8件)：

2H095BA07 , 2H095BA12 , 2H095BB01 , 2H095BB02 , 2H095BB35 , 2H095BC01 , 2H095BC05 , 2H095BC09

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