特許

J-GLOBAL ID：200903071248351500

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112206
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313943
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電圧が低いもので異なる種類の金属ゲート電極を持つPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを、簡単な製造方法によって形成することができるような構成とする。【解決手段】 Pチャネルトランジスタ1とNチャネルトランジスタ2とを有する半導体装置であって、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はレニウムからなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はレニウムチタン合金からなるものである。

請求項（抜粋）：

PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを有する半導体装置であって、前記Pチャネルトランジスタのゲート電極はレニウムからなり、前記Nチャネルトランジスタのゲート電極はレニウムチタン合金からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/62 G

Fターム (66件)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD65 ,  4M104DD80 ,  4M104DD82 ,  4M104DD83 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF38 ,  5F140BG04 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07