特許
J-GLOBAL ID:200903071249576840

マスク及びその作成方法並びに荷電粒子ビーム露光方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松本 眞吉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-009360
公開番号(公開出願番号):特開平8-202018
出願日: 1995年01月24日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】露光装置のスループットを低下させず、かつ、近接効果を充分かつ容易に補正する。【構成】所望の転写パターンに相似のパターンを互いに同一サイズの第1矩形45に分割し、各第1矩形45内に互いに同一サイズの第2矩形を形成し、各第2矩形について、それ自体及びその周囲の矩形からの近接効果の量を求め、該量に応じ第2矩形のサイズを補正して第3矩形56とし、第3矩形56を透過孔とする。この補正は、第2矩形を通った電子ビームによる、レジストに対する直接の露光量と、該第2矩形自体及びその周辺の第2矩形を通った電子ビームのレジスト内散乱に基づき該直接の露光量に加えられる露光量との和が、各第2矩形について互いに略同一になるようにし、かつ、第3矩形56の最大サイズを第2矩形に等しくする。
請求項(抜粋):
所望の転写パターンに相似のパターンを第1矩形に分割し、各第1矩形内に第2矩形を形成し、各第2矩形について、それ自体及びその周辺の該第2矩形からの近接効果の量を求め、該量に応じ該第2矩形のサイズを補正して第3矩形とし、該第3矩形を透過孔とするマスクを作成する、ことを特徴とするマスク作成方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
引用特許:
出願人引用 (8件)
  • 特開昭57-045238
  • 特開昭52-095177
  • 特開昭60-211935
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審査官引用 (3件)
  • 特開昭57-045238
  • 特開昭52-095177
  • 特開昭60-211935

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