特許
J-GLOBAL ID：200903071256163900
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287570
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013604
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の組立、試験工程や雰囲気の温度変化に起因して半導体素子のリード接続部に生ずる応力を緩和する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体素子1を封止する保護用キャップを蓋板9と支持枠8とに分離する。半導体素子1を搭載する配線基板3の外周に支持枠8を配置させ、この支持枠8上部と半導体素子1裏面とで蓋板9を半田固着し半導体素子1を封止する。支持枠8と半導体素子1背面を連結する蓋板部分または支持枠部分の構造を柔軟化する。
請求項（抜粋）：
配線基板と、前記配線基板上に搭載さた半導体素子と、前記配線基板上に設けられ、前記半導体素子を外部雰囲気から保護するためのキャップとを備えた半導体装置において、前記キャップは、前記キャップと前記半導体素子との熱膨張係数の差に起因して前記半導体素子に加わる荷重を緩和する手段を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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