特許

J-GLOBAL ID：200903071265434703

熱電気変換モジュールおよびその製造方法

発明者： 今西 雄一郎 ,  三好 実人 ,  渡辺 徹男 ,  篠原 和彦 ,  櫛引 圭子 ,  小林 正和 ,  古谷 健司
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282480
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199765
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】大容量で曲面に密着できる熱電気変換モジュールおよびそれを正確、容易かつ安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】多数の貫通孔を有するハニカム構造体11の順次の孔にN型半導体素子13およびP型半導体素子14を交互に挿入し、隙間を変形が容易な充填材15で充填し、ハニカム構造体11を所望の形状に切断した後、上下の表面に露出する半導体素子の端部を電極16で交互に接続して全てのN型半導体素子13およびP型半導体素子14を交互にカスケード接続する。

請求項（抜粋）：

絶縁性のハニカム構造体の一方の表面から他方の表面に至るまで形成された貫通孔の中に絶縁性充填材を介して挿入されたN型半導体素子およびP型の半導体素子とを交互に配列して具え、隣接するN型半導体素子とP型半導体素子とを、前記ハニカム構造体の一方の表面および他方の表面において電極を介してカスケード接続したことを特徴とする熱電気変換モジュール。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  F25B 21/02 ,  H01L 35/14

FI (3件)：

H01L 35/32 A ,  F25B 21/02 A ,  H01L 35/14