特許

J-GLOBAL ID：200903071265619711

磁気メモリ素子

発明者： 田沼 俊雄 ,  吉岡 功一 ,  吉川 秀樹 ,  及川 悟 ,  高橋 誠一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248297
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076479
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 磁化容易軸方向及びこれと直交する磁化困難軸方向が設定された磁気抵抗効果膜10を含むメモリセルをマトリックス状に配置した磁気メモリ素子において、メモリセルに対する書き込み及び読み出しの際の動作電流を低減する。【解決手段】 メモリセルの磁化困難軸方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層5が設けられていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

磁化容易軸方向及びこれと直交する磁化困難軸方向が設定された磁気抵抗効果膜を含むメモリセルをマトリックス状に配置した磁気メモリ素子であって、前記メモリセルの磁化困難軸方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (3件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

FI (3件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

Fターム (9件)：

5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049BA30