特許

J-GLOBAL ID：200903071269353430

1,3-ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物

発明者： ウィリアム・エイ・ウォジチャク ,  ファティマ・マ・セイジョ ,  デイビッド・バーンハード ,  ロン・ヌグイエン
出願人/特許権者： アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 河宮 治 ,  鮫島 睦 ,  玄番 佐奈恵
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-558561
公開番号（公開出願番号）：特表2004-527105
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

半導体ウエハを洗浄する配合物であって、2-98重量%の無機アミン、0-50重量%の水、0.1-60重量%の1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤、0-25重量%の追加の1または複数の異なるキレート化剤、0.5-40重量%の窒素含有カルボン酸またはイミン、2-98重量%の極性有機溶媒を含む。配合物は、レジストプラズマアッシング工程の後に、ウエハから残渣を除去するのに有用であり、例えば、精密な銅の相互接続構造を含む半導体ウエハから無機残渣を除去するのに有用である。

請求項（抜粋）：

プラズマアッシング後の半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄配合物であって、下記の成分を、(配合物の全重量を基準として)下記に示す重量%の範囲で含む配合物。

IPC (7件)：

H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60

FI (9件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 642A ,  H01L21/304 645C ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60

Fターム (17件)：

4H003DA15 ,  4H003DC04 ,  4H003EB07 ,  4H003EB09 ,  4H003EB12 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB15 ,  4H003EB17 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED31 ,  4H003ED32 ,  4H003FA07 ,  4H003FA15