特許
J-GLOBAL ID：200903071272421064
表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339912
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152218
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】[目的]処理ガスを均一な濃度および均一な流れで被処理体へ吹き付けて、均一に成膜する。[構成]ガス室24の内側には、垂直方向に所定の間隔をおいて3つの仕切り板32,34,36が配設され、ほぼ同一の流路面積を有する3段のガス流制御室44,46,48が画成される。ガス供給管28,30よりガス導入室26内に導入されたWF6,N2 ガスおよびH2 ガスは、いっしょに最上段のガス流制御室44へ導かれここで均一に混合される。混合処理ガス(WF6,N2 ,H2 )は、中段のガス流制御室46に入り、この室46の底の第2の仕切り板34によって半径方向に均一な濃度および均一な流れのガス流に整流され、次に下段のガス流制御室48を比較的早い流速で通り抜けて、第3の仕切り板36の各通気孔36aよりきめ細かなガス流として半導体ウエハ12へ吹きつけられる。
請求項（抜粋）：
ガス供給管からの処理ガスを処理容器内で区画されたガス室に導き、前記ガス室の出口から前記処理ガスを被処理体へ向けて吹きつけるようにした表面処理装置において、前記ガス室内に、それぞれ多数の通気孔を設けた複数の仕切り板をガス流方向に所定の間隔をおいて配設してなることを特徴とする表面処理装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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