特許

J-GLOBAL ID：200903071274770287

キノキサリンジチオカーボネートまたはその誘導体の製造法

発明者： 古川 喜朗 ,  三上 雅史
出願人/特許権者： ダイソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128446
公開番号（公開出願番号）：特開平10-316682
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：

【要約】【課題】 ホスゲンガスを発生させることなく、容易、安全かつ高収率にキノキサリン-2,3-ジチオカーボネートまたはその誘導体を製造する。【解決手段】 キノキサリン-2,3-ジチオールまたはその誘導体にトリホスゲンまたはジホスゲンを反応させることにより式(1)で表されるキノキサリン-2,3-ジチオカーボネートまたはその誘導体(Rは炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、カルバモイル基、カルボキシル基、アミノスルホニル基、ハロゲノ基から選ばれた基を表し、nは0〜4の整数を表す)を製造する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表されるキノキサリン-2,3-ジチオールまたはその誘導体をトリホスゲン及びジホスゲンから選ばれるカルボニル化剤と反応させることを特徴とする下記式(2)で表されるキノキサリン-2,3-ジチオカーボネートまたはその誘導体の製造法。【化1】【化2】(Rは炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、カルバモイル基、カルボキシル基、アミノスルホニル基、ハロゲノ基から選ばれる基を表し、nは0〜4の整数を表す。)

IPC (2件)：

C07D495/04 105 ,  C08G 59/66

FI (2件)：

C07D495/04 105 Z ,  C08G 59/66