特許
J-GLOBAL ID：200903071277058596
シリコン半導体ウエハのための低抵抗かつ低欠陥密度のタングステンコンタクトを形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074276
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102075
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 絶縁体を貫通し、シリコン基板に達する、タングステンで満たされたコンタクトオープニングの形成法を提供する。【構成】 絶縁層を介してその下部のシリコン半導体ウエハのための電気的コンタクトを形成する方法であって、a)まず絶縁体の表面並びに絶縁体を貫通するコンタクトオープニング24の側壁表面および底部に露出したシリコン基板上にチタン層を堆積する工程、b)次いで窒素含有雰囲気中、チタンが露出したシリコンとチタン被覆表面をアニール処理して、シリコン基板上に窒化チタン34と低抵抗の珪化チタン32との二重層を形成し、また絶縁層表面上に窒化チタンを形成する、一方でチタンの堆積後チタン被覆表面を酸素含有ガスに暴露しないように維持する。またc)コンタクトオープニングの残部を、窒化チタンおよび窒化チタン/珪化チタンの二重層に付着するタングステンで満たして、シリコン基板上に良好な電気的コンタクトを形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層を介してその下部のシリコン半導体ウエハのための電気的コンタクトを形成する方法であって、a) 該絶縁層上にチタンの層を堆積する工程、該チタンは予め該絶縁層を介して該シリコンウエハに形成されたコンタクトオープニングの露出したシリコン表面上にも堆積される;b) 窒素含有ガスの存在下で、かつ酸素含有ガスの不在下で、該堆積チタン層をアニール処理して、該コンタクトオープニングの底部の該露出したシリコンウエハ表面上に珪化チタンを、および該珪化チタン上および該絶縁層の表面上に窒化チタンを形成する工程、該堆積工程と該アニール工程との間においては該堆積チタンを酸素含有ガスに暴露しないように維持する、およびc) 該絶縁層上にタングステン層を堆積して、該コンタクトオープニングをタングステンで満たす工程を含み、かくして該コンタクトオープニング中のタングステンと該シリコンウエハとの該珪化物を介する良好な電気的コンタクトを形成し、かつ該タングステンと該絶縁層表面上に形成された窒化チタンとの間に良好な結合を形成することを特徴とする上記方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
