特許

J-GLOBAL ID：200903071278921093

薄膜インダクタおよびその製造方法

発明者： 近藤 幸一 ,  山田 盛一
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252202
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075739
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 閉磁路構造であり、磁束が漏洩しない構造として、素子を小型化し、かつ高効率化した閉磁路、複合型の薄膜インダクタを得る。【解決手段】 複合磁気異方性膜2a,2bと、銅コイル3とから形成されるスパイラル型薄膜インダクタと、軟磁性フェライトリング5、および軟磁性フェライトディスク5’を、その平面方向が略同一となるように配置され、組み合わされ、かつ前記スパイラル型薄膜インダクタの銅コイル3が、軟磁性フェライトリング5の内側に配置された閉磁路構造であることを特徴とする薄膜インダクタ。

請求項（抜粋）：

複合磁気異方性膜と、銅コイルからなるスパイラル型薄膜インダクタと、軟磁性フェライトリングと、軟磁性フェライトディスクとを、その平面方向が略同一となるように配置され、組み合わされ、かつスパイラル型薄膜インダクタの銅コイル部分が、軟磁性フェライトリングの内側に配置された閉磁路構造であることを特徴とする薄膜インダクタ。

IPC (3件)：

H01F 17/06 ,  H01F 30/00 ,  H01F 41/04

FI (6件)：

H01F 17/06 A ,  H01F 17/06 F ,  H01F 41/04 C ,  H01F 31/00 M ,  H01F 31/00 A ,  H01F 31/00 D

Fターム (8件)：

5E062DD01 ,  5E062FF01 ,  5E070AA01 ,  5E070AB02 ,  5E070AB10 ,  5E070BA20 ,  5E070BB01 ,  5E070CA02