固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316561
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135772
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】検出感度、S/Nの向上のため、電荷転送装置の浮遊拡散容量を低減することができる電荷転送装置の提供。【解決手段】素子分離領域のP+型半導体領域2と接することなく電荷転送装置の出力端のゲート電極10からリセット用MOSFETのゲート電極9まで延在して形成されている第1のN型半導体領域3aと、第1のN型半導体領域3aに少なくとも一部の領域が重なるように、浮遊拡散層3の中央付近に独立して形成され、検出回路を構成する検出用MOSFETと接続するための第2の第2導電型半導体領域と、第1、第2の第2導電型半導体領域3a、3bの両側に素子分離領域のP+型半導体領域2と接して形成された第3の第2導電型半導体領域3cと、から構成される浮遊拡散層3を有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に形成された電荷転送装置から信号電荷を受ける第2導電型浮遊拡散層と、電荷検出後に前記信号電荷を除去するためのリセットドレイン電源に接続された第2導電型拡散層と、リセットパルス信号が供給されるリセットゲート電極から構成されるリセット用MOSFETと、前記浮遊拡散層に接続された浮遊拡散層の電位変動を検出する検出回路を構成する検出用MOSFETと、を有する電荷転送装置において、前記浮遊拡散層が、素子分離領域と接することなく前記電荷転送装置の最終電極からリセット用MOSFETのゲート電極まで延在して形成されている第1の第2導電型半導体領域と、前記第1の第2導電型半導体領域に少なくとも一部の領域が重なるように、前記浮遊拡散層の中央付近に独立して形成され、前記検出回路を構成する検出用MOSFETと接続するための、前記第1の第2導電型半導体領域より高濃度の第2の第2導電型半導体領域と、前記第1、第2の第2導電型半導体領域の両側に、前記素子分離領域と接して形成された、前記第1の第2導電型半導体領域よりも低濃度の第3の第2導電型半導体領域と、から構成されている、ことを特徴とする電荷転送装置。

IPC (3件)：

H01L 29/762 , H01L 21/339 , H01L 27/148

FI (2件)：

H01L 29/76 301 C , H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特表平1-502634
特開平4-180676
電荷検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163707 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る