フラッシュメモリアレイのアクセス方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津国肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296544
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297078
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】メモリアレイを複数の動作ブロックに分割し、各ブロック毎にルックアップテーブルを備えて、ホストからの論理アドレスと物理アドレス間の探索時間を短縮させ、メモリのアクセス時間を向上し得るフラッシュメモリアレイのアクセス方法及びその装置を提供すること。【解決手段】複数の動作ブロックに分割されたフラッシュメモリアレイ11のアクセス方法において、各動作ブロック毎にルックアップテーブルを設けて動作ブロック単位で参照させる。ホストからの論理アドレスを受けて該当の動作ブロックを選択する動作グループ選択器13と、セクタ情報テーブルを臨時貯蔵する臨時記憶手段としての第1、第2バッファ14、15と、ルックアップテーブルの管理、物理アドレスの生成、並びにメモリからのデータ読出し及び消去などの制御機能を行うメモリ制御器12とを包含して構成する。

請求項（抜粋）：

複数の動作ブロックに分割されたフラッシュメモリアレイのアクセス方法において、前記各動作ブロックは外部論理アドレスと該論理アドレスに対応する物理アドレス間の関係を定めるアドレス変換のための領域を有し、前記外部論理アドレスに基づいて前記複数の動作ブロック中1つを選択する選択段階と、前記外部論理アドレスと前記アドレス変換領域内の論理アドレスとを比較して対応する物理アドレスを生成し、該物理アドレスで前記メモリアレイをアクセスするメモリアクセス段階と、を順次行うことを特徴とするフラッシュメモリアレイのアクセス方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000707 出願人：三菱電機株式会社

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