特許
J-GLOBAL ID：200903071280977128
半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333290
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240937
出願日： 1990年06月15日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】電子機器への実装に際して前処理を要することなく半田実装時の加熱に耐えうる低応力性を備え、しかも高温雰囲気中の保存安定性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)下記の一般式(2)で表されるフェノールアラルキル樹脂。【化2】(C)臭素化エポキシ樹脂。(D)下記の(d1)成分および(d2)成分の少なくとも一方。(d1)下記の一般式(3)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化3】(d2)ビスマスの水酸化物,ビスマスの酸化物,アルミニウムの水酸化物およびアルミニウムの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物であって塩素イオン,ブロムイオン,硝酸イオン含有量がそれぞれ5ppm以下の化合物。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(D)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)下記の一般式(2)で表されるフェノールアラルキル樹脂。【化2】(C)臭素化エポキシ樹脂。(D)下記の(d1)成分および(d2)成分の少なくとも一方。(d1)下記の一般式(3)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化3】(d2)ビスマスの水酸化物,ビスマスの酸化物,アルミニウムの水酸化物およびアルミニウムの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物であって塩素イオン,ブロムイオン,硝酸イオン含有量がそれぞれ5ppm以下の化合物。
IPC (7件)：
C08G 59/22
, C08G 59/62
, C08K 3/22
, C08K 3/26
, C08L 63/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
C08G 59/22
, C08G 59/62
, C08K 3/22
, C08K 3/26
, C08L 63/00 A
, H01L 23/30 R
