特許

J-GLOBAL ID：200903071284899539

希土類磁石の表面処理方法

発明者： 加来 久幸
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158402
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002911
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】磁石素地と密着性の良いめっき皮膜を形成することである。【解決手段】本発明の希土類磁石1の表面処理方法は、Ndを主成分とする希土類元素、鉄を主成分とする遷移元素およびBからなり、希土類磁石の表面を溶融した後急冷し、急冷層の表面にめっき法によって保護層を形成したものである。また、溶融方法としてレーザービームを用いて行ってもよいし、急冷層をアモルファス層2とし、保護層をストライクNiめっき層3と電気Niめっき層4としてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Ndを主成分とする希土類元素、鉄を主成分とする遷移元素およびBからなる永久磁石の表面処理方法において、前記永久磁石の表面を溶融した後急冷し、急冷層の表面にめっき法によって保護層を形成することを特徴とする希土類磁石の表面処理方法。

IPC (3件)：

C25D7/00 ,  C25D5/34 ,  H01F41/02

FI (3件)：

C25D7/00 K ,  C25D5/34 ,  H01F41/02 G

Fターム (15件)：

4K024AA02 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024BA11 ,  4K024BB14 ,  4K024BC07 ,  4K024CA13 ,  4K024DA09 ,  4K024DA10 ,  4K024GA04 ,  5E062CD04 ,  5E062CG07