特許

J-GLOBAL ID：200903071284924495

単斜晶系構造を有する結晶性シリケート触媒の製造

発明者： ジヤン-ピエール・ダト ,  リユク・デロルム ,  ジヤツク-フランソワ・グロートジヤン ,  クサビエ・バンアエラン ,  ワルター・ベルメイレン
出願人/特許権者： フイナ・リサーチ・ソシエテ・アノニム
代理人 (1件)： 小田島 平吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361971
公開番号（公開出願番号）：特開平11-239728
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 単斜晶系構造を有する結晶性シリケート触媒の製造。【解決手段】 単斜晶系構造を有する結晶性シリケート触媒の製造方法であって、80より小さいケイ素/アルミニウム原子比を有するMFI型の結晶性シリケートを提供すること;蒸気で結晶性シリケートを処理すること、そしてその後浸出剤の水性溶液との接触により結晶性シリケートからアルミニウムを浸出して最低80の触媒におけるケイ素/アルミニウム原子比を提供することを含んで成り、それにより当該触媒は単斜晶系構造を有する方法。

請求項（抜粋）：

単斜晶系構造を有する結晶性シリケート触媒の製造方法であって、80より小さいケイ素/アルミニウム原子比を有するMFI型の結晶性シリケートを提供すること;蒸気で結晶性シリケートを処理すること、そしてその後浸出剤の水性溶液との接触により結晶性シリケートからアルミニウムを浸出して最低80の触媒におけるケイ素/アルミニウム原子比を提供することを含んで成り、それにより当該触媒は単斜晶系構造を有する方法。

IPC (3件)：

B01J 29/40 ,  B01J 37/06 ,  C01B 39/36

FI (3件)：

B01J 29/40 M ,  B01J 37/06 ,  C01B 39/36