特許
J-GLOBAL ID：200903071287382995
結晶シリコン膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235498
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】レーザアニール法で非晶質シリコンを結晶化し多結晶シリコン膜を形成する場合の表面荒れを防ぐ。【構成】ガラス基板1上の非晶質シリコン膜2に波長248nmのKrFエキシマレーザ光7Aを照射し、表面から30nm程度を結晶化する。更に2回目の照射では、波長486nmのKrFエキシマレーザを用いる。この波長でレーザ光7は多結晶シリコン膜5Cを透過し、非晶質シリコン膜2内の領域でほとんど吸収され、下地側の非晶質シリコン膜2が選択的に温度上昇し溶融,結晶化するので、表面の平坦な多結晶シリコン膜5Dが形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して結晶化する結晶シリコン膜の形成方法において、非晶質シリコン膜における消衰係数が結晶シリコン膜における消衰係数より大きな波長のレーザ光を用いることを特徴とする結晶シリコン膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 27/146
