特許

J-GLOBAL ID：200903071288247080

スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット

発明者： 尾野 直紀
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077540
公開番号（公開出願番号）：特開2006-257510
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ターゲット材とバッキングプレートとを接合しスパッタリングターゲットを製造するに際して、InとGaとを含んでなる、下塗り剤および/またはボンディング剤を用いることを特徴としている。 また、本発明のスパッタリングターゲットは、Inと特定量のGaとを含んでなるボンディング剤層を有することを特徴としている。 【効果】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法では、InおよびGaを含有する、下塗り剤および/またはボンディング剤を使用しているため、ターゲット材の接合面に対するボンディング剤の濡れ性を確保し、ターゲット材の接合面上にボンディング剤を直接あるいは下塗り剤を介して、均一に短時間で塗布することが可能である。したがって、本発明によれば、コスト面および生産効率の点で不利なメタライズ処理を省略でき、スパッタリングターゲットの生産効率を高めることができる。 【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ターゲット材とバッキングプレートとを接合しスパッタリングターゲットを製造するに際して、InとGaとを含んでなる、下塗り剤および/またはボンディング剤を用いるこ とを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (1件)：

C23C 14/34

FI (1件)：

C23C14/34 C

Fターム (2件)：

4K029DC03 ,  4K029DC24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平2-30382号公報