多層レジストパターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮越典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307275
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142365
出願日： 1993年11月13日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】下地基板からの反射光を抑制する下層反射防止膜のパタ-ニングを簡便にすることができる多層レジストパタ-ンの形成方法を提供すること。【構成】半導体基板101上にi線用ノボラックレジスト102を形成し、その上層にKrFエキシマレ-ザ-用レジスト103を形成する(工程A)。次にKrFエキシマレ-ザ-光を用いて選択的に露光・現像してKrF用レジストパタ-ン103aを形成し(工程B)、続いてi線を用いて全面露光・現像してi線用レジストパタ-ン102a)を形成する(工程C)ことにより、多層レジストパタ-ンを形成する。【効果】従来のドライエッチングを用いた場合の約5倍のスル-プットを確保でき、寸法制御性が良好であり、微細パタ-ンを再現性良く形成することができる。

請求項（抜粋）：

(1) 半導体基板上にg線又はi線用ノボラックレジスト層を形成する工程、(2) その上層にi線より短波長(365nm未満)の光源用のレジスト層を形成する工程、(3) 選択的に短波長光(365nm未満)を露光する工程、(4) i線、i線より長波長光、又は広帯域光を全面に露光する工程、を含むことを特徴とする多層レジストパタ-ンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 573 , H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-109722
特開平3-283418
特開平2-171754

全件表示

前のページに戻る