特許

J-GLOBAL ID：200903071292993790

成膜方法および成膜装置

発明者： 金沢 秀宏 ,  安藤 謙二 ,  大谷 実 ,  鈴木 康之 ,  枇榔 竜二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-007311
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192811
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】 所望の並進エネルギーを持つ成膜粒子のみを基板に被着させる。【解決手段】 成膜粒子の飛行路にコリメータ2とチョッパー3a、3bを設ける。コリメータ2によって成膜粒子の飛散方向を揃えたうえで、回転するチョッパー3a、3bによって速度選択を行ない、所望の並進エネルギーを持つ粒子のみを基板W1 の表面に入射させる。粒子のエネルギー幅を限定することで、高密度で欠陥のない薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

薄膜形成面に被着される成膜粒子の飛行路に配設されたコリメータによって前記成膜粒子の飛散方向を揃える工程と、チョッパーによって前記成膜粒子のエネルギー幅を制限する工程を有する成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/22 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34

FI (4件)：

C23C 14/22 Z ,  C23C 14/24 V ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34 V

Fターム (5件)：

4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA13 ,  4K029DB20 ,  4K029EA07