特許
J-GLOBAL ID：200903071293073198

基板処理方法及び基板処理装置

発明者：
新藤 尚樹

新藤 尚樹 について

, 
飯野 正

飯野 正 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009207
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217157
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理基板を処理するに際し、ミストトラップから処理容器内への逆流を防止してパーティクル汚染の発生を阻止すること。【解決手段】 処理容器10内にホットエアを供給して半導体ウエハWを昇温する基板昇温工程と、処理容器10内にオゾンガスと水蒸気を供給して半導体ウエハWを処理する基板処理工程と、基板処理工程中に処理容器10内から排気される雰囲気を気液分離する気液分離工程と、パージガスを供給して処理容器10内のパージを行うパージ工程とを有し、基板昇温工程の間、処理容器10からミストトラップ95への排気管路91に介設される開閉弁(V9,V10)を閉鎖して逆流を防止する。
請求項（抜粋）：
複数の排気経路を備えた処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、前記処理容器内に加熱ガスを供給して前記被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理基板を処理する基板処理工程と、前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分離する気液分離工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程とを有し、前記基板昇温工程の間、前記複数の排気経路のうち前記気液分離を行う排気経路を閉鎖することを特徴とする基板処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 648 ,  B08B 3/02 ,  B08B 5/02 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (7件)：
H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/304 648 L ,  B08B 3/02 A ,  B08B 5/02 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 H
Fターム (37件)：
2H096AA25 ,  2H096AA28 ,  2H096LA06 ,  2H096LA30 ,  3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB01 ,  3B116AB44 ,  3B116BB21 ,  3B116BB82 ,  3B116BB90 ,  3B116CD11 ,  3B116CD41 ,  3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB44 ,  3B201BB21 ,  3B201BB82 ,  3B201BB90 ,  3B201BB92 ,  3B201BB98 ,  3B201CD11 ,  3B201CD41 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BC07 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA34 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 処理方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240353   出願人：株式会社日立製作所

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