特許
J-GLOBAL ID：200903071296150568
ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-134414
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：
【要約】【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該溶解阻害剤が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、該オニウム塩がビス(p-t-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメチルスルホネートであり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であるポジ型レジスト材料。【効果】 寸法制御性に優れ、系がより単純で、微細加工に有用である。
請求項（抜粋）：
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該溶解阻害剤が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、該オニウム塩が下記式(化1):【化1】で表されるビス(p-t-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメチルスルホネートであり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であることを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
, H01L 21/027
