絶縁体上シリコンの構造上に形成されたセンサを用いた測定システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-608141
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540412
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2002年11月26日
要約：

【要約】測定システムは、電力が印加される時間に関連したオフセットを有する、絶縁構造上の半導体に形成されたセンサを用いるものである。コントローラは、オフセットのあらゆる影響を最小限にするように、電力を印加し、読取値を得て、電力を除去する。

請求項（抜粋）：

測定システムであって、絶縁体上半導体の構造上に形成され、パワー入力および出力を有し、前記入力へ電力が印加された時間に関連したオフセットを有するセンサと、電圧と前記センサの入力との間に接続されたスイッチと、前記センサの出力に結合された入力と、前記スイッチに結合された出力端子とを有するコントローラと、前記コントローラに作用する手段であって、 (a)第一の期間、前記スイッチを閉じ、 (b)第一の読取値を得、 (c)前記第一の期間の最初に存在していたオフセットまで前記センサを回復させるのに十分な第二の期間、前記スイッチを開き、 (d)前記第一の期間と等しい第三の期間、前記スイッチを閉じ、 (e)第二の読取値を得るための手段とを備える測定システム。

IPC (5件)：

G01D 18/00 , G01D 3/028 , G01D 21/00 , G01L 9/00 , G01L 9/04 101

FI (5件)：

G01D 18/00 , G01D 21/00 M , G01L 9/00 E , G01L 9/04 101 , G01D 3/04 Q

Fターム (14件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF13 , 2F055GG33 , 2F075AA06 , 2F075EE18 , 2F076BA01 , 2F076BD04 , 2F076BD11 , 2F076BE05 , 2F076BE10

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